RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3675
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link