RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3675
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link