Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Gesamtnote
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Unterschiede

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 36
    Rund um 3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.4 left arrow 14.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 9.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.4 left arrow 19.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 13.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2321 left arrow 3351
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche