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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3351
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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