RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
81
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1770
1634
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link