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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
81
左右 52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
81
读取速度,GB/s
12.8
14.0
写入速度,GB/s
7.4
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
1634
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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