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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
18.4
写入速度,GB/s
7.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3583
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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