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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1770
2631
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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