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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
39
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3263
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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