RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
39
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
21
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3263
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link