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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
39
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2791
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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