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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2791
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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