RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
39
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2941
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link