RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3179
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link