RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
39
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
31
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3179
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link