RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3593
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link