RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3593
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link