RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
79
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.3
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
7.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
4.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
1671
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link