RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
56
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
16.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3703
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link