RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
56
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
17.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3886
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link