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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
56
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2919
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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