RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
56
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3430
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kllisre 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link