RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
56
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2760
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link