RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
89
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
89
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
7.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
1571
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link