RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
89
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
89
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
7.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
1571
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link