RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
56
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3804
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link