RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
56
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2631
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link