RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
56
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3223
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link