RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
56
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2211
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link