RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
56
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
7.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2159
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link