RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
56
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2945
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link