RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
64
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
56
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
4,651.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
2,256.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
837
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link