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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
56
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2737
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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