RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
56
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2908
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link