RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
56
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3480
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link