RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
52
Rund um -49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14900
Rund um 1.72 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
14900
25600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
3242
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link