RAM-Vergleich Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Gesamtnote

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 52

Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.6 9.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 7.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 14900

Rund um 1.43 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2173 2605

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns