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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

総合得点
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 52
    周辺 -68% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14900
    周辺 1.43 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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