RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
52
Rund um -160% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
3127
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link