RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
52
Autour de -160% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
20
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
3127
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link