RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
52
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14900
Rund um 1.72 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.8
Speicherbandbreite, mbps
14900
25600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
3851
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link