Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Unterschiede

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    52 left arrow 59
    Rund um -13% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 2,123.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17500 left arrow 6400
    Rund um 2.73 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 52
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,833.8 left arrow 10.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,123.3 left arrow 8.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17500
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    731 left arrow 2319
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RAM 2

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