Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Puntuación global

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

52 59

En -13% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.2 2,123.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17500 6400

En 2.73 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

731 2319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns