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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
59
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
6400
En 2.73 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
52
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17500
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2319
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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