Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    52 left arrow 59
    Около -13% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 2,123.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17500 left arrow 6400
    Около 2.73 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 52
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,833.8 left arrow 10.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,123.3 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17500
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    731 left arrow 2319
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения