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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
59
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17500
6400
Autour de 2.73 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
52
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17500
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2319
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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