Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 10.2
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    52 left arrow 59
    Por volta de -13% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.2 left arrow 2,123.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17500 left arrow 6400
    Por volta de 2.73 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 52
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 10.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 8.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17500
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 2319
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RAM 1
RAM 2

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