RAM-Vergleich Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Gesamtnote

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 52

Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.5 9.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.4 7.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 14900

Rund um 1.29 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2173 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns