RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
52
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
2361
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link