RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
56
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2361
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link