RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2275
3849
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link