RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3849
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link